CVD

Siliziumcarbid-Beschichtung | Hochreiner SiC-Schutz für Graphit

Hochreiner SiC-Schutz durch chemische Gasphasenabscheidung

Die klassische CVD-Abscheidung von Siliziumcarbid liefert glatte, dichte und chemisch stabile Oberflächen mit exzellenter Temperaturbeständigkeit. Perfekt für Anwendungen mit höchsten Reinheitsanforderungen.

Vorteile der CVD-Siliziumcarbid-Beschichtung

Maximale Reinheit für sensible Prozesse
Hohe Oxidations- und Korrosionsbeständigkeit
Sehr gute Haftung auf Graphit

Typische Anwendungen fürCVD-Siliziumcarbid-Beschichtungen

Waferträger
Halbleiter- und PV-Produktion
Chemische Prozessanlagen

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